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WMS512K8-55CC

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WMS512K8-55CC概述

Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

WMS512K8-55CC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIP
包装说明DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e4
长度42.8 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
反向引出线NO
座面最大高度5.13 mm
最大待机电流0.00045 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
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