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P4C1026-35L32MB

产品描述ULTRA HIGH SPEED 256K x 4 STATIC CMOS RAM
产品类别存储    存储   
文件大小286KB,共10页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C1026-35L32MB概述

ULTRA HIGH SPEED 256K x 4 STATIC CMOS RAM

P4C1026-35L32MB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码QFJ
包装说明QCCN, LCC32,.45X.7
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQCC-N32
JESD-609代码e0
长度19.05 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.7
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度2.36 mm
最大待机电流0.00025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.43 mm
Base Number Matches1
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