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P4C147-25DMB

产品描述ULTRA HIGH SPEED 4K x 1 STATIC CMOS RAM
产品类别存储    存储   
文件大小188KB,共10页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C147-25DMB概述

ULTRA HIGH SPEED 4K x 1 STATIC CMOS RAM

P4C147-25DMB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP18,.3
针数18
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-GDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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