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200FXH13

产品描述200 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小111KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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200FXH13概述

200 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

200FXH13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明3-37A1B, 2 PIN
针数2
制造商包装代码3-37A1B
Reach Compliance Codeunknow
应用FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XUFM-D1
最大非重复峰值正向电流4400 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流200 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3000 V
最大反向恢复时间4.5 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

200FXH13相似产品对比

200FXH13 200FXG13
描述 200 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 200 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 符合
包装说明 3-37A1B, 2 PIN 3-37A1A, 2 PIN
针数 2 2
制造商包装代码 3-37A1B 3-37A1A
Reach Compliance Code unknow unknow
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ANODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XUFM-D1 O-XUFM-D1
最大非重复峰值正向电流 4400 A 4400 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 200 A 200 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 3000 V 3000 V
最大反向恢复时间 4.5 µs 4.5 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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