Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4KE100CA

文档预览

P4KE100CA: 产品描述瞬态电压抑制二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小165KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4KE100CA在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4KE100CA	-	-	点击查看	点击购买

P4KE100CA概述

瞬态电压抑制二极管

功能特点

产品名称：瞬态电压抑制二极管

产品型号：P4KE100CA

产品参数：

功耗Ppp：400W

反向电压VRWM：85.5V

击穿电压VBR@IT：Min=95V Max=105V

测试电流It：1mA

反向漏电IR@VRWM ：1μA

Max. Clamp Voltage 10/1000μs Vc @ Ipp ：137V

脉冲电流峰值Ipp ：3.1A

封装：DO-41

P4KE100CA规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-41
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	105 V
最小击穿电压	95 V
击穿电压标称值	100 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	137 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	85.5 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P4KE100CA文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Typical I

less than 1µA above 10V

0.205(5.2)

0.160(4.1)

0.034(0.86)

0.028(0.71)

6.8 to 440 Volts

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

R ating

Peak Power D i ssi pati on at T

=25

Symbol

P K

F S M

S T G

1.0(25.4)MIN.

0.107(2.7)

0.080(2.0)

Value

400

-65 to +175

Uni ts

Watts

C , Tp=1ms (Note 1)

Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)

Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave Superi mposed on

Rated Load(JEC ED Method) (Note 3)

Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range

C/W

Amps

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig.

2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in

(40mm

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

STAD-SEP.02.2008

PAGE . 1

推荐资源

小白求助，Jlink到底该怎么刷固件呢？: 求助论坛里的大神们啊，我们这边Jlink坏了一堆，感觉基本上都是固件掉了，自己试了很多次网上说的方法去刷固件，就是短接EASER，后又短接TST然后用SAM-PROG v2.4 或sam-ba v2.9那种方法，但是我 ......; ylk330 stm32/stm8

ReadFile 失败: 在EVC下使用多线程打开文件遇到如下问题 1.使用CreateFile打开硬盘上的一个文件，有时出现打开失败，GetLastError返回2，文件不存在，但是文件确实存在，而且我在操作完文件后立即将文件关 ......; gshlsh 嵌入式系统

基于红外的心跳测量电路: 这是一个通过一对红外发射管+接收管的心跳波形测量电路，能对手指、耳垂等地方进行电跳波形测量，其原理大致是放大、滤波、比较，最终出来的是一个与心跳同频的方波，比较器之前的是一个很接近 ......; falderdz stm32/stm8

LM3S8962 JTAG接口上拉的问题: 现在在基于LM3S8962做产品开发，遇到一个问题，JTAG的5个信号线TRST, TCK, TMS, TDI, and TDO，需不需要上拉？LM3S8962开发板上没有上拉，但是有同事说需要上拉。我想问问朋友们到底需要上拉不 ......; sphinz 微控制器 MCU

TCP&UDP 使用步骤及流程: TCP&UDP 使用步骤及流程...; tonytong 单片机

请教个问题STM32串口DMA中断的问题: DMA_Trans_Stop() { //两个函数均为库函数 DMA_PARA_INIT(Usartx,*StartAddr, 0 ) ;(1) DMA_IT_CONFIG(通道,DISABLE); } 问题:加上语句1后,再调用DMA初始化函数无**常进入中断,不 ......; fuhuait stm32/stm8

德国总理暗示将对本国半导体企业提供资助

德国总理默克尔15日在柏林的一次演讲中暗示，政府可能对本国半导体企业提供财政资助，以帮助这些企业更好地与美国公司竞争。默克尔在演讲中比较了德国英飞凌、奇梦达与美国英特尔的情况，并认为英特尔获得了美国政府经济刺激计划的慷慨支持。她表示，对欧洲仅剩的几家半导体生产商，政府可能需要对其提供资助。数据显示，受经济衰退影响，DRAM价格过去一年下跌58％。德国半导体企业深受打击，...[详细]
研究机构Gartner：半导体业资本支出已触底

市场研究机构Gartner日前指出，半导体业资本设备支出已经在第二季触底，因此该公司稍微调升了对09年IC业资本支出的预测数据，也提高了2010年产业成长预测。Gartner预测，全球半导体设备资本支出可在2009年达到243亿美元的总额，较2008年的440亿美元减少44.8%；到2010年，该资本支出金额则可望达294亿美元，较09年成长20.9%。新的数据比三月份...[详细]
政府集群战略助阵光伏企业屯兵大西南

继今年2月宣布投资1000万欧元在德国建设一座年产300吨薄膜太阳能电池核心材料生产工厂后，6月18日，四川阿波罗太阳能科技开发股份有限公司副总经理姚孝胥向本报透露，该公司最近正在商讨在凉山西昌的投资可行性。盯上西昌的，还有年初刚上市的中国兴业太阳能技术控股有限公司(0750.HK)。3月中旬，该公司决定在那里建设一座100兆瓦级的光伏太阳能电站。6月16日，西班牙维拉...[详细]
09半程盘点中国的半导体大国之梦还有多远

本土IC公司的机遇在哪，何时到来？中国成为半导体大国需要做什么，面临哪些挑战？全球半导体09年开始恢复，中国何时恢复？日前，“2009(第七届)泛珠三角集成电路创新应用展示暨高峰论坛”在深圳大学科技楼报告厅举行，邀请到的众位业内专家针对行业热点问题进行了探讨和解答。中国IC公司的机遇环球资源资深分析师孙昌旭女士认为中国IC公司的最佳的时机已到来，随着市场发展，欧美日韩I...[详细]
预测193纳米光刻胶市场年均增长率达27%

预测在未来五年内全球193纳米光刻胶市场将以年均增长率达27%增长，到2013年时达12亿美元。该数据来自一家电子材料顾问公司的报告。在先进图形的形成中，对于193纳米光刻胶市场无论干法或者浸液式都会有较大增长。报告预测2008到2013年内全球光刻胶及其配套材料市场，包括涂层材料及真空淀积材料。报告列出全球光刻胶供应商的市场份额，其中三家日本公司，如JSR...[详细]
ST推出2x3mm封装512-Kbit串口EEPROM

意法半导体（ST）运用先进的非易失性存储技术，推出两款在当前市场上最高密度的采工业标准2x3x0.6mm8-引脚微型引线框架封装（MLP）的512-Kbit器件，再度写下业界第一。新产品引脚兼容低密度的存储器，让设计人员无需重新设计电路板即可直接更换芯片，产品升级更快速、高效。串口EEPROM器件具有非易失性存储功能，采用引脚数量很少的封装，适合众多的消费电子、工...[详细]
SpringSoft加强亚洲营运中日两国设区域经理人

　　专业IC设计软件全球供货商SpringSoft(SpringSoft,Inc.)宣布，在日本与中国新设区域经理人，进一步强化全球营运并补强两大重要市场中丰富的管理经验。TomoyukiKawarai将置身日本新横滨区掌管日本地区营运，而许伟将驻中国上海统筹SpringSoft的中国地区营运。两位经理人将提供丰富的EDA与半导体相关销售与营销经验，并且各别在日本与中国负责市场销...[详细]
中国半导体分立器件市场年会8月在深圳召开

由中国半导体行业协会主办，中国半导体行业协会分立器件分会、专用集成电路国家重点实验室、华强电子网等联合承办的“2009中国半导体分立器件市场年会”将于2009年8月20日-21日在深圳召开。目前，中国的半导体分离器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，因此，有关...[详细]
SEMICON West聚焦MEMS、LED与软电

在国际半导体设备材料产业协会(SEMI)举办的SEMICONWest国际半导体展中，全新的“极限电子(ExtremeElectronics)主题展”结合了微机电(MEMS)、印刷和软性电子、高亮度LED、纳米电子等技术，成为2009年度SEMICONWest上的焦点。在今年的“极限电子主题展”的一系列活动中，主办单位和与会专家们从车用电子、生化医疗和手持电子等热门MEMS终...[详细]
三星和现代计划联合开发经济型智能汽车芯片

韩国政府16日宣布，韩国三星电子公司和现代汽车公司将联合开发用于经济型智能汽车的高级芯片。韩国知识经济部说，三星和现代两家公司此举将推动系统级芯片（SOC）的研发，该芯片是节能型汽车的主要部件。截至2010年8月，总计200亿韩元（1美元约合1295韩元）的投资将被用于开发智能钥匙、自动停车系统和电池感应芯片，其中韩国政府将负担90亿韩元。知识经济部一位官员表示，如果一...[详细]
GPON EPON之争再升温芯片格局或将改变

3G时代的到来，将大大促进对网络带宽的需求，而无源光网络(PON)这种点对多点的第二代FTTH(光纤到户)技术，作为一种提供高速宽带服务的优秀替代产品，具有成本低、寿命长、距离远等特点，因此受到业界的推崇。随着国内三大运营商各自加速启动3G网络建设和开始相关业务的运营，光通信从去年以来在中国市场得到业界前所未有的关注，以PON形式建设的FTTH等光接入网络也得到快速的启动。中国市...[详细]
最新低成本高效率0.18微米OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，发布其最新开发的0.18微米OTP(一次编程)制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件，从而省去了0.18微米标准逻辑制程中的1.8V器件，因此可以节省至少5层光罩。由于该OTP是建立在相同的逻辑制程基础上，所以不需要额外的制程步骤。相对于...[详细]
多晶硅淘汰赛鸣枪价格逼近盈亏平衡点

价格的暴跌，迫使多晶硅企业将成本控制视为头等大事。金融危机以来，多晶硅从最高480美元/公斤急剧下跌至当前的70美元/公斤，直逼国内企业的成本线。　　在这期间，市场涌现新项目因过低收益率，不得不下马，而具成本优势的企业则逆市扩产，寡头垄断竞争格局苗头初现。　　两极分化　　7月10日，江苏大全集团公司宣布，位于万州的多晶硅一期1800吨扩建项目，已正式投产，加上现有产能，...[详细]
意法半导体预计第三季度毛利率31％

欧洲最大的芯片厂商意法半导体今日公布第三财季业绩预期，第三季度营收介于20.7-22.7亿美元之间，超过分析师预估的20.1亿美元，毛利润率为31%，超过第一季26.3%的水准，但低于分析师35%的预估，亏损低于预期，但因一位分析师称担忧其成本和利润率，其股价仍应声下跌近4%。意法半导体第二季度营收为19.9亿美元，华尔街预估为18.9亿美元，净亏3.18亿美元，每股亏损0.36...[详细]
英飞凌09财年第三季度营收环比增长13%

　　英飞凌科技股份公司近日公布了截止到2009年6月30日的2009年第三季度的财务数据。　　英飞凌2009财年第三季度实现营收8.45亿欧元，环比上升13%，同比下降18%。英飞凌本季度的分部业绩较之上个季度得以大幅提高，净亏损2300万欧元。百万欧元2008财年第三季度（截止到2008年6月30日）同比增幅（%）2009财年第二季度（截...[详细]

小广播

热搜元器件