Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4KE51CA

文档预览

P4KE51CA: 产品描述保护瞬态电压抑制器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小165KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4KE51CA在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4KE51CA	-	-	点击查看	点击购买

P4KE51CA概述

保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称：保护瞬态电压抑制器

产品型号：P4KE51CA

产品参数：

Power Dissipation功耗：Ppp：400W

Reverse Stand-off Voltage反向电压：VRWM：43.6V

Breakdown Voltage击穿电压：VBR@IT：Min：48.5V，Max：53.6V

Test Current：IT：1mA

Reverse Leakage反向漏：IR@VRWM：UNI：1μA，

Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp：70.1V

Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp：6A

封装：DO-41

P4KE51CA规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-41
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大击穿电压	53.6 V
最小击穿电压	48.5 V
击穿电压标称值	51 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	70.1 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	43.6 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

P4KE51CA文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Typical I

less than 1µA above 10V

0.205(5.2)

0.160(4.1)

0.034(0.86)

0.028(0.71)

6.8 to 440 Volts

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

R ating

Peak Power D i ssi pati on at T

=25

Symbol

P K

F S M

S T G

1.0(25.4)MIN.

0.107(2.7)

0.080(2.0)

Value

400

-65 to +175

Uni ts

Watts

C , Tp=1ms (Note 1)

Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)

Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave Superi mposed on

Rated Load(JEC ED Method) (Note 3)

Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range

C/W

Amps

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig.

2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in

(40mm

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

STAD-SEP.02.2008

PAGE . 1

推荐资源

vxworks环境下的容错系统设计问题: 如题。有没有大侠知道这方面的资料。3ks!...; tigerlikes 实时操作系统RTOS

数码分段开关的制作DIY: 如何制作数码分段开关，最好有电路图还有详细的制作过程...; hanleisgx123 DIY/开源硬件专区

产生40KHZ的方波: 请问用方式2产生40KHZ的方波用C编怎么弄啊谢谢希望能写给我看看啊...; 常见泽1 嵌入式系统

【得捷电子创新设计大赛】物料开箱+ESP32-S3-BOX: 本帖最后由未见于 2022-7-2 19:30 编辑心心念念的快递终于慢慢悠悠的飘洋过海从大洋彼岸寄过来了，原本在参赛时看中的乐鑫 ESP32-S3-Korvo-2开发板被告知套件不包含屏幕和摄像头组件。花 ......; 未见 DigiKey得捷技术专区

EEWORLD大学堂----采用TI SimpleLink?MCU平台的代码重用演示: 采用TI SimpleLink?MCU平台的代码重用演示：https://training.eeworld.com.cn/course/5002...; wanglan123 单片机

分析代码: u32 EndNum; u32 Counter; void (*pFunc)(void); //这个是定时器的中断函数 void TimerInterrupt(void) { if(++Counter>=EndNum) { if(pFunc!=NULL) { (*pFunc)(); //在此添加停 ......; ly471089608 单片机

英伟达向SK海力士“低头”达成：HBM4单价涨至560美元

11月6日消息，据媒体报道，当地时间11月5日，SK海力士方面表示，已与英伟达就2026年的HBM4的供应完成了价格和数量谈判。报道称，SK海力士在该供应谈判中占据上风，其向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元。据了解，560美元这一谈判价格，不仅高于此前业内预期的HBM4单价约为500美元，而且比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。谈判过程中，英伟达最初对大...[详细]
三星和英伟达宣布共建 AI 工厂，采购超 5 万块 GPU

10月31日消息，英伟达CEO黄仁勋于本周四对韩国进行了15年来首次正式访问，三星今日宣布与英伟达达成新合作，启动一个配备超过5万块英伟达GPU的完整AI工厂项目。三星表示，通过部署超过5万块英伟达GPU，AI将贯穿三星整个制造流程，加速下一代半导体、移动设备和机器人的研发与生产。三星还计划借助英伟达加速计算技术，并利用NVIDIAOmniverse库...[详细]
三星半导体部门三季度营业利润同比飙升 80%，AI 需求推动存储芯片业务强劲复苏

10月30日消息，三星电子半导体部门公布第三季度营业利润同比大幅增长80%，增幅远超市场预期，表明全球人工智能（AI）需求正推动这家韩国企业最核心业务的强劲复苏。该部门主要竞争对手包括SK海力士和美国美光科技公司。三星表示，明年将重点推进下一代高带宽存储器HBM4的大规模量产，该产品专为与英伟达的AI加速器协同工作而设计。公司同时呼应了SK海力士的预测：人工智能领域的资...[详细]
国产AMHS厂家的蝶变前夜 | 专访弥费科技董事长缪峰

10月15日在深圳开幕的湾芯展（全称2025湾区半导体产业生态博览会），是其第二届。仅办两届的展会，就引起产业界不小的关注。背后体现了国内半导体上游制造圈的“焦虑”，更展示了国产设备厂商的狠劲。纵观全场，撇去直冲天灵盖的网红公司，笔者更关注AMHS这个赛道。外企垄断、国产替代、出海探索、国产化等关键词，无不体现在这个细分的设备赛道上。这个赛道，正在经历一场市场暗斗和技术变革的阳谋。笔...[详细]
消息称 Anthropic 将直接从博通采购近 100 万颗谷歌 TPU v7 AI 芯片

1月4日消息，半导体与AI行业研究分析公司SemiAnalysis北京时间昨日表示，AI企业Anthropic将直接从博通采购近100万颗TPUv7pIronwoodAI芯片，本地部署在其控制的数据中心中。换句话说，博通将直接向Anthropic供应基于TPUv7p的机架级AI系统，“绕过”TPU芯片的另一开发参与方谷歌。不过谷歌预计仍可从A...[详细]
意法半导体和SpaceX共庆星链全球互联关键技术合作十年历程

定制芯片十年创新历程催生了一个通过低轨卫星为家庭和企业提供宽带互联网的新兴产业星链产品是SpaceX与意法半导体法国和意大利公司合作设计，在法国、马耳他和马来西亚的工厂生产星链高性能相控阵天线采用意法半导体的BiCMOS芯片技术，为150多个国家地区的800多万用户提供高速互联网接入服务双方深入合作，聚焦加快推进现有设计项目和下一代卫星及用户终端的开发进度2025...[详细]
日本产综研将建设开放式尖端半导体研发中心，与 Rapidus 形成协同效应

12月15日消息，日本经济产业大臣赤泽亮正上周五表示，日本产业技术综合研究所（产综研、AIST）将在北海道千岁市建设一座开放式的尖端半导体研发中心，目标2029财年投入使用。这座研发中心将与同在千岁市的Rapidus晶圆厂形成协同效应，服务于该集群内的半导体产业上下游企业与学术界。如果日本国会通过2025财年补充预算，该项目将启动下一代EUV光刻机在内的必要设备引进工作。...[详细]
Marvell 美满拟以 32.5 亿美元收购光学 I/O 技术企业 Celestial AI

12月3日消息，Marvell美满美国加州当地时间2日宣布已与高速光学I/O互联技术企业CelestialAI达成最终协议，计划以10亿美元现金+22.5亿美元Marvell普通股，总计32.5亿美元（IT之家注：现汇率约合230.04亿元人民币）的对价收购后者。这笔交易预计将于2026日历年第一季度完成，具体情况取决于惯例性完成条件和监管批准。...[详细]
齐力半导体谢建友：先进封装产业需要厚积薄发

在芯片行业设计范式向Chiplet转变的当下，专注先进封装领域的齐力半导体正以一体化解决方案提供商的姿态崭露头角。公司CEO谢建友强调，齐力半导体并非单纯的封装企业，而是覆盖从设计、仿真到研发量产的全流程，为客户提供totalsolution的先进封装方案解决公司。他指出，当前从SoC设计到Chiplet设计的转变，本质上是芯片行业设计范式的革新，以往单一纳米制程下的晶圆级设计，正逐渐被多纳米...[详细]
鸿芯微纳研发副总裁冯春阳：打造纯血数字后端全流程EDA工具链，迎接后摩尔时代

近日，在ICCAD2025上，作为本土EDA领域的代表企业，鸿芯微纳研发副总裁冯春阳博士在“EDA与IC设计服务”专题论坛上发表了《国产EDA平台赋能后摩尔时代三维多芯片系统设计》的主题演讲。在同期的媒体交流活动中，冯春阳围绕公司发展历程、核心产品优势、行业竞争策略及AI+EDA趋势等话题，与众多媒体展开深入对话，系统阐述了鸿芯微纳在数字全流程EDA工具开发方面的布局与突破。成立于...[详细]
摩尔斯微电子设立墨尔本办事处，并任命平台、产品及人工智能高级总裁

摩尔斯微电子设立墨尔本办事处，并任命亚历克斯・塔莱夫斯基为平台、产品及人工智能高级副总裁中国北京，澳大利亚悉尼-2025年11月11日-全球领先的Wi-FiHaLow解决方案提供商摩尔斯微电子（MorseMicro）今日宣布，任命亚历克斯・塔莱夫斯基（AlexTalevski）为平台、产品及人工智能高级副总裁。摩尔斯微电子平台、产品及人工智能高级副总裁亚历...[详细]
西门子收购Canopus：引入“AI显微镜”技术，让造芯更准、更快

2月5日消息，西门子（Siemens）昨日（2月4日）发布公告，宣布收购法国初创公司CanopusAI，通过引入计算量测（ComputationalMetrology）和检测技术，强化其Calibre晶圆制造软件生态。据西门子透露，该笔交易实际上已于2026年1月12日完成交割。尽管官方未披露具体金额，但业界估算交易额约在1.5亿至3亿欧元（IT之家注...[详细]
ASML、泛林、KLA 意见一致：晶圆厂容量是芯片制造商扩产瓶颈

2月2日消息，重要半导体设备制造商ASML阿斯麦、LamResearch泛林、KLA科磊上周均发布了季度财报，这三家企业在电话会议上均表示晶圆厂容量（或者说洁净室空间）是芯片制造商扩充产能以应对客户需求的瓶颈。由于晶圆厂建设过程需要2年乃至更长的时间，因此芯片制造商想要在短期内更充分地满足客户需求只能尽量挖掘现有产能潜力，这对半导体设备制造商而言意味着更多的升级订单。当然直...[详细]
万物智能时代，新思科技下了怎么样的一盘大棋？

如果用一句话总结半导体的发展史，可以说是不断在无法想象的微观尺度上“雕花”。时间回到四五十年前，那时候复杂SoC或芯片只有20万个晶体管，时至今日，市面很多AI芯片的晶体管数量达到了2000亿个。换句话说，四五十年以来，芯片上的元件数量翻了100万倍。更恐怖的是，芯片正在朝向2030年达到万亿晶体管的目标进发。人类之所以努力，是因为半导体行业经历了PC、手机这样的市场爆发，需要让芯片在同样...[详细]
消息称英特尔评估多名CEO潜在人选，包括前董事会成员陈立武等外部人士

12月4日消息，据路透报道，知情人士称，在宣布首席执行官帕特・基辛格退休后，英特尔已开始评估前董事会成员陈立武等几位外部人士对CEO职位的兴趣。据悉，英特尔关于新CEO人选的讨论还处于早期阶段，尚未确定任何候选人。英特尔日前宣布，执行副总裁兼首席财务官DavidZinsner和MichelleJohnstonHolthaus出任临时联席CEO，同时公司董事会正物色...[详细]

小广播

热搜元器件