Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61WV10248BLL-10TLI

IS61WV10248BLL-10TLI: 产品描述Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小521KB，共19页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS61WV10248BLL-10TLI概述

Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44

IS61WV10248BLL-10TLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991
Factory Lead Time	8 weeks
Is Samacsys	N
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e3
长度	18.415 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	44
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.025 A
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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IS61WV10248ALL

IS61WV10248BLL

IS64WV10248BLL

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES

• High-speed access times: 8, 10, 20 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for greater

noise immunity

• Easy memory expansion with CE and OE options

• CE power-down

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single power supply

– V

1.65V to 2.2V (IS61WV10248ALL)

speed = 20ns for Vcc = 1.65V to 2.2V

– V

2.4V to 3.6V (IS61/64WV10248BLL)

speed = 10ns for Vcc = 2.4V to 3.6V

speed = 8ns for Vcc = 3.3V

+ 5%

• Packages available:

–

48-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 44-pin TSOP (Type II)

• Industrial and Automotive Temperature Support

• Lead-free available

MARCH 2017

IS64WV10248BLL are very high-speed, low

power, 1M-word by 8-bit CMOS static RAM. The

IS61WV10248ALL/BLL and IS64WV10248BLL are fab-

ricated using

ISSI

's high-performance CMOS technol-

ogy. This highly reliable process coupled with innovative

circuit design techniques, yields higher performance

and low power consumption devices.

When CE is HIGH (deselected), the device assumes

a standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

The IS61WV10248ALL/BLL and IS64WV10248BLL

operate from a single power supply and all inputs are

TTL-compatible.

The IS61WV10248ALL/BLL and IS64WV10248BLL are

available in 48 ball mini BGA and 44-pin TSOP (Type

II) packages.

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61WV10248ALL/BLL and

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1M X 8

MEMORY ARRAY

A0-A19

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

I/O0-I/O7

COLUMN I/O

CONTROL

CIRCUIT

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest

version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reason-

ably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications

unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. B2

02/23/2017

IS61WV10248BLL-10TLI相似产品对比

	IS61WV10248BLL-10TLI	IS64WV10248BLL-10CTLA3
描述	Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44	44
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	3A991	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	8 weeks	12 weeks
Is Samacsys	N	N
最长访问时间	10 ns	10 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e3	e3
长度	18.415 mm	18.415 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端子数量	44	44
字数	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	1MX8	1MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.025 A	0.07 A
最小待机电流	1.2 V	1.2 V
最大压摆率	0.1 mA	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
宽度	10.16 mm	10.16 mm
Base Number Matches	1	1

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