电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

PDM41024LA12TATY

产品描述128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32
产品类别存储   
文件大小115KB,共8页
制造商ETC
下载文档 详细参数 全文预览

PDM41024LA12TATY概述

128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32

128K × 8 标准存储器, 15 ns, PDSO32

PDM41024LA12TATY规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量32
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间15 ns
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式J BEND
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织128K X 8
存储密度1.05E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数131072 words
位数128K
内存IC类型STANDARD SRAM
串行并行PARALLEL

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 121  249  1131  1178  1533 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved