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IMS2800S-80

产品描述Static Column DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, CDIP16,
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文件大小1MB,共13页
制造商Inmos Corporation
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IMS2800S-80概述

Static Column DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, CDIP16,

IMS2800S-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Inmos Corporation
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最长访问时间80 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
端子数量16
字数262144 words
字数代码256000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
最大待机电流0.0025 A
最大压摆率0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

IMS2800S-80相似产品对比

IMS2800S-80 IMS2800S-70 IMS2800S-120 IMS2800S-150 RNR55E2641BS RNR55E2641BSBSL65
描述 Static Column DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, CDIP16, Static Column DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, CDIP16, Static Column DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, CDIP16, Static Column DRAM, 256KX1, 150ns, CMOS, CDIP16, RESISTOR, METAL FILM, 0.1 W, 0.1 %, 25 ppm, 2640 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED Fixed Resistor, Metal Film, 0.1W, 2640ohm, 200V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown compliant compliant
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 16 16 16 16 2 2
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 175 °C 175 °C
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE Axial Axial
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS METAL FILM METAL FILM
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 Inmos Corporation Inmos Corporation Inmos Corporation Inmos Corporation - -
Is Samacsys N N N N - -
最长访问时间 80 ns 70 ns 120 ns 150 ns - -
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE - -
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 - -
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit - -
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM - -
内存宽度 1 1 1 1 - -
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words - -
字数代码 256000 256000 256000 256000 - -
组织 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1 - -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - -
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC - -
封装代码 DIP DIP DIP DIP - -
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR TUBULAR PACKAGE -
电源 5 V 5 V 5 V 5 V - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
刷新周期 256 256 256 256 - -
最大待机电流 0.0025 A 0.0025 A 0.0025 A 0.0025 A - -
最大压摆率 0.06 mA 0.06 mA 0.045 mA 0.045 mA - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V - -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL - -
Base Number Matches 1 1 1 1 - -
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