TRANSISTOR 75 A, 40 V, 0.0031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 雪崩能效等级（Eas） | 560 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0031 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 240 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| PHB225NQ04T | PHB225NQ04T,118 | P-1005D2640BGT3 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR 75 A, 40 V, 0.0031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | RESISTOR, THIN FILM, 0.25 W, 0.1 %, 15 ppm, 264 ohm, SURFACE MOUNT, 1005, CHIP, ROHS COMPLIANT |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 包装说明 | PLASTIC, D2PAK-3 | - | SMT, 1005 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | - | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e4 |
| 端子数量 | 2 | - | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | - | 155 °C |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMT |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier |
| 技术 | - | MOSFET（金属氧化物） | THIN FILM |
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