9.1V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗 | 100 Ω |
| JEDEC-95代码 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称参考电压 | 9.1 V |
| 最大反向电流 | 0.01 µA |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | ZENER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差 | 5% |
| 工作测试电流 | 1 mA |
| Base Number Matches | 1 |
| T-LVA91A | RNN60E2083BPM761 | RNN60E2180DPRSL1 | T-LVA56A | T-LVA62A | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 9.1V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.125W, 208000ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | Fixed Resistor, Metal Film, 0.125W, 218ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | 5.6V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 | 6.2V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown | unknown | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE | HERMATICALLY SEALED, PRECISION | HERMATICALLY SEALED, PRECISION | LOW NOISE | LOW NOISE |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 封装形式 | LONG FORM | Axial | Axial | LONG FORM | LONG FORM |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | ZENER | METAL FILM | METAL FILM | ZENER | ZENER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | - | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | O-LALF-W2 | AXIAL LEADED | AXIAL LEADED | - | O-LALF-W2 |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | - | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | - | - | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | - | - | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | ZENER DIODE | - | - | ZENER DIODE | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗 | 100 Ω | - | - | 40 Ω | 50 Ω |
| JEDEC-95代码 | DO-35 | - | - | DO-35 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | - | - | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
| 元件数量 | 1 | - | - | 1 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 °C | - | - | -65 °C | -65 °C |
| 封装主体材料 | GLASS | - | - | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | - | - | ROUND | ROUND |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL | - | - | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 0.5 W | - | - | 0.5 W | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified | - | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称参考电压 | 9.1 V | - | - | 5.6 V | 6.2 V |
| 最大反向电流 | 0.01 µA | - | - | 0.05 µA | 0.05 µA |
| 端子形式 | WIRE | - | - | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | - | - | AXIAL | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差 | 5% | - | - | 5% | 5% |
| 工作测试电流 | 1 mA | - | - | 1 mA | 1 mA |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
