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IC41C16256-35TG: 产品描述EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-40; 产品类别存储存储; 文件大小206KB，共21页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IC41C16256-35TG概述

EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-40

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	SOP, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
访问模式	EDO PAGE
最长访问时间	35 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G40
JESD-609代码	e3
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	40
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	TSOP40/44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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