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IS41C44002-60JI

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
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文件大小155KB,共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS41C44002-60JI概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

IS41C44002-60JI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ24/26,.34
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度17.145 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.556 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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IS41C4400
X
IS41LV4400
X
S
ERIES
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM
WITH EDO PAGE MODE
FEATURES
Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle
TTL compatible inputs and outputs
Refresh Interval:
– 2,048 cycles/32 ms
– 4,096 cycles/64 ms
ISSI
JUNE, 2001
®
DESCRIPTION
The
ISSI
4400 Series is a 4,194,304 x 4-bit high-performance
CMOS Dynamic Random Access Memory. These
devices offer an accelerated cycle access called EDO
Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 or 4096
random accesses within a single row with access cycle
time as short as 20 ns per 4-bit word.
These features make the 4400 Series ideally suited for
high-bandwidth graphics, digital signal processing,
high-performance computing systems, and peripheral
applications.
The 4400 Series is packaged in a 24-pin 300-mil SOJ with
JEDEC standard pinouts.
Refresh Mode:
RAS-Only,
CAS-before-RAS
(CBR), and Hidden
Single power supply:
– 5V±10% or 3.3V ± 10%
Byte Write and Byte Read operation via two
CAS
Industrial temperature range -40°C to 85°C
PRODUCT SERIES OVERVIEW
Part No.
IS41C44002
IS41C44004
IS41LV44002
IS41LV44004
Refresh
2K
4K
2K
4K
Voltage
5V ± 10%
5V ± 10%
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
KEY TIMING PARAMETERS
Parameter
RAS
Access Time (t
RAC
)
CAS
Access Time (t
CAC
)
Column Address Access Time (t
AA
)
EDO Page Mode Cycle Time (t
PC
)
Read/Write Cycle Time (t
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CONFIGURATION
24 Pin SOJ
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
VCC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*A11(NC)
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
Address Inputs (4K Refresh)
Address Inputs (2K Refresh)
Data Inputs/Outputs
Write Enable
Output Enable
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Power
Ground
No Connection
A0-A10
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
Vcc
GND
NC
* A11 is NC for 2K Refresh devices
.
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any
errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
06/24/01
1

IS41C44002-60JI相似产品对比

IS41C44002-60JI IS41C44002-50J IS41C44002-60J IS41C44002-50JI IS41C44004-50J IS41C44004-50JI
描述 EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ24/26,.34 SOJ, SOJ24/26,.34 SOJ, SOJ24/26,.34 SOJ, SOJ24/26,.34 SOJ, SOJ24/26,.34 SOJ, SOJ24/26,.34
针数 24 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N N N
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns 60 ns 50 ns 50 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 240 NOT SPECIFIED 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 4096 4096
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.11 mA 0.12 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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