Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS62C1024AL-35TLI-TR

IS62C1024AL-35TLI-TR: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 20 X 8 MM, LEAD FREE, TSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小256KB，共11页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS62C1024AL-35TLI-TR概述

Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 20 X 8 MM, LEAD FREE, TSOP1-32

IS62C1024AL-35TLI-TR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSSOP,
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
Is Samacsys	N
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e3
长度	18.4 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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IS62C1024AL

IS65C1024AL

128K x 8 LOW POWER CMOS

STATIC RAM

FEATURES

• High-speed access time: 35, 45 ns

• Low active power: 100 mW (typical)

• Low standby power: 20 µW (typical) CMOS

standby

• Output Enable (OE) and two Chip Enable

(CE1 and CE2) inputs for ease in applications

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V (±10%) power supply

• Commercial, Industrial, and Automotive tem-

perature ranges available

• Standard Pin Configuration:

—

32-pin SOP/ 32-pin TSOP (Type 1)

• Lead free available

DECEMBER 2017

DESCRIPTION

The

ISSI

IS62C1024AL/IS65C1024AL is a low power,

131,072-word by 8-bit CMOS static RAM. It is fabricated

using high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields higher performance and low power

consumption devices.

When

CE1

is HIGH or CE2 is LOW (deselected), the device

assumes a standby mode at which the power dissipation

can be reduced by using CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using two Chip

Enable inputs,

CE1

and CE2.The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A16

DECODER

128K x 8

MEMORY ARRAY

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

I/O0-I/O7

COLUMN I/O

CE1

CE2

CONTROL

CIRCUIT

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be expected to cause

failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written

assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. H1

12/01/2017

IS62C1024AL-35TLI-TR相似产品对比

	IS62C1024AL-35TLI-TR	IS65C1024AL-45TLA3	IS65C1024AL-45QLA3	IS62C1024AL-35TI-TR
描述	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 20 X 8 MM, LEAD FREE, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 20 X 8 MM, TSOP1-32
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP1	TSOP1	SOIC	TSOP1
包装说明	TSSOP,	TSSOP, TSSOP32,.8,20	SOP, SOP32,.56	TSSOP,
针数	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks	10 weeks	10 weeks	12 weeks
最长访问时间	35 ns	45 ns	45 ns	35 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e3	e3	e3	e0
长度	18.4 mm	18.4 mm	20.495 mm	18.4 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	125 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	SOP	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	3.05 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	11.305 mm	8 mm
湿度敏感等级	3	-	3	3
Base Number Matches	1	1	1	-

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