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IC41C8512-35TI

产品描述EDO DRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28
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文件大小202KB,共21页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IC41C8512-35TI概述

EDO DRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28

IC41C8512-35TI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明0.400 INCH, TSOP2-28
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
访问模式EDO PAGE
最长访问时间35 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码TSOP28,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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