BU4506DF概述

5A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

BU4506DF规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	5 A
集电极-发射极最大电压	800 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	4.2
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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BU4506DF相似产品对比

	BU4506DF	934055079127
描述	5A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR	TRANSISTOR 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AB, PLASTIC, FULL PACK-3, BIP General Purpose Power
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	PLASTIC, FULL PACK-3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	5 A	5 A
集电极-发射极最大电压	800 V	800 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	4.2	4.2
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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