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AF2302NWLA

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小440KB,共5页
制造商Integrated Circuit Systems(IDT )
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AF2302NWLA概述

Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN

AF2302NWLA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Circuit Systems(IDT )
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)3.2 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

AF2302NWLA相似产品对比

AF2302NWLA AF2302NWL RCWP12068M87FKEC AF2302NWA
描述 Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 8870000ohm, 100V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CHIP SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 3 3 2 3
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMT SMALL OUTLINE
表面贴装 YES YES YES YES
厂商名称 Integrated Circuit Systems(IDT ) Integrated Circuit Systems(IDT ) - Integrated Circuit Systems(IDT )
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 - SOT-23
针数 3 3 - 3
Is Samacsys N N - N
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V - 20 V
最大漏极电流 (ID) 3.2 A 3.2 A - 3.2 A
最大漏源导通电阻 0.085 Ω 0.085 Ω - 0.085 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 1 - 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A 10 A - 10 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
Base Number Matches 1 1 - 1
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