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82S123BEA

产品描述OTP ROM, 32X8, 50ns, Bipolar, CDIP16,
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文件大小100KB,共3页
制造商e2v technologies
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82S123BEA概述

OTP ROM, 32X8, 50ns, Bipolar, CDIP16,

82S123BEA规格参数

参数名称属性值
厂商名称e2v technologies
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间50 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T16
内存密度256 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量16
字数32 words
字数代码32
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32X8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

82S123BEA相似产品对比

82S123BEA
描述 OTP ROM, 32X8, 50ns, Bipolar, CDIP16,
厂商名称 e2v technologies
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Is Samacsys N
最长访问时间 50 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T16
内存密度 256 bit
内存集成电路类型 OTP ROM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 16
字数 32 words
字数代码 32
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 32X8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 BIPOLAR
温度等级 MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
Base Number Matches 1
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