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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 普通整流二极管> 1N4002S(G)
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1N4002S(G)

产品描述暂无描述
产品类别分立半导体    普通整流二极管   
文件大小996KB，共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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1N4002S(G)概述

暂无描述

1N4002S(G)规格参数

参数名称属性值
封装类型
Case Style		A-405/A-405F
IF（A）1.0
Maximum recurrent peak reverse voltage100
Peak forward surge current30
Maximum instantaneous forward voltage1.0
@IVA(A)1.0
Maximum reverse current5.0
TRR(nS)/
classDiodes

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1N4001S-1N4007S
1.0 AMP. Silicon Recrifiers
A-405
Features
High efficiency, Low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
ψ0.6mm leads
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Polarity: Color band denotes cathode
High temperature soldering guaranteed:
o
260 C/10 seconds/.375”,(9.5mm) lead lengths
at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Weight: 0.22 gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current .375”(9.5mm) Lead Length
@T
A
= 75
o
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@1.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25
C
o
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=125
C
Maximum Full Load Reverse Current, Full
Cycle Average .375”(9.5mm) Lead Length
o
@T
A
=75
C
Typical Junction Capacitance ( Note 1 )
Typical Thermal Resistance ( Note 2 )
o
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
HT
IR
Cj
R θJA
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
4001S 4002S 4003S 4004S 4005S 4006S 4007S
Units
V
V
V
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
30
1.0
5.0
50
30
15
50
-65 to +150
o
A
V
uA
uA
uA
pF
C/W
o
C
Operating and Storage Temperature Range
T
J
,T
STG
1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4..0 Volts D.C.
Notes:
2. Mount on Cu-Pad Size 5mm x 5m on P.C.B.
ht
t
p
:
//
Revision:20170701-P1
www.lgesemi
.c
o
m
mail:lge@lgesemi.com

1N4002S(G)相似产品对比

1N4002S(G) 1N4001S(G) RCWP-0201822KET RCWP-0201822KT03 VJ1812A222HXAAT2L VJ2220A122HNCAT68 1N4005S(G)
描述 暂无描述 暂无描述 Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.05W, 8200ohm, 30V, 10% +/-Tol, 300ppm/Cel, 0201, Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.05W, 8200ohm, 30V, 10% +/-Tol, 300ppm/Cel, 0201, CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50 V, C0G, 0.0022 uF, SURFACE MOUNT, 1812, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.0012 uF, SURFACE MOUNT, 2220, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT 暂无描述
是否Rohs认证 - - 符合 不符合 不符合 不符合 -
Objectid - - 944747789 944747794 1212330762 1212632330 -
Reach Compliance Code - - compliant compliant unknown unknown -
Country Of Origin - - Israel Israel Israel Israel -
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
YTEOL - - 7.6 7.6 6.85 7.48 -
JESD-609代码 - - e3 e0 e3 e4 -
端子数量 - - 2 2 2 2 -
最高工作温度 - - 150 °C 150 °C 125 °C 125 °C -
最低工作温度 - - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -
封装形式 - - SMT SMT SMT SMT -
包装方法 - - Tray Tray TR, EMBOSSED PLASTIC, 7 INCH TR, EMBOSSED PLASTIC, 7 INCH -
尺寸代码 - - 0201 0201 1812 2220 -
温度系数 - - 300 ppm/°C 300 ppm/°C 30ppm/Cel ppm/°C 30ppm/Cel ppm/°C -
端子面层 - - Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Silver/Palladium (Ag/Pd) -

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