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2SK1299(S)-(1)

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SK1299(S)-(1)概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR

2SK1299(S)-(1)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

2SK1299(S)-(1)相似产品对比

2SK1299(S)-(1)
描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR
厂商名称 Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code compliant
Is Samacsys N
配置 Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 20 W
表面贴装 YES
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