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2SJ550(S)-(1)

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-263ABVAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共12页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SJ550(S)-(1)概述

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-263ABVAR

2SJ550(S)-(1)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

2SJ550(S)-(1)相似产品对比

2SJ550(S)-(1) 2SJ550(S)-(2)
描述 TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-263ABVAR TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-263AB
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code compliant compliant
Is Samacsys N N
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
表面贴装 YES YES
Base Number Matches 1 1
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