Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, N-G1, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Panasonic(松下) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 130 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SB0932P | 2SB0932Q | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, N-G1, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, N-G1, 3 PIN |
厂商名称 | Panasonic(松下) | Panasonic(松下) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Is Samacsys | N | N |
最大集电极电流 (IC) | 4 A | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 130 | 90 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W | 35 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz | 30 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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