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1N4454UR-1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小323KB,共2页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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1N4454UR-1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

1N4454UR-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码DO-213AA
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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Silicon Switching Diode Series
1N4454UR and 1N4454UR-1
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/144
Metallurgically Bonded
Hermetically Sealed
Double Plug Construction
Maximum Ratings @ 25°C
Operating & Storage Temperature: -55 °C to +175 °C
Operating Current: 200mA, TA= +75 °C
Derating Factor:
Surge Current A:
Surge Current B:
2.0mA dc/°C above TA= +75 °C @ L = 3/8
2A (pk) tp = 8.3 mS, VRM = 0
4A (pk) tp = 1us, VRM = 0
DC Electrical Characteristics
VBR
@5μA
Volts
75
Volts (pk)
50
mA
200
V dc
0.8
V RWM
I0
Vf1@I F = 10 mA
Vf2@I F = 10 mA
TA = 150°C
V dc
0.7
trr
IR1
@ 50 V dc
n sec
4
μA
0.1
IR2 @ 50 V
TA = 150°C
μA
100
CAPACITANCE
@0V
pF
2.0
Outline Drawing
D
LEADED DESIGN DATA
CASE: DO – 213AA, Hermetically sealed glass case.
(MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH: Tin / Lead
S
G
F
G1
THERMAL RESISTANCE: (R
ӨJEC
): 100 °C/W maximum
THERMAL IMPEDANCE: (Z
ӨJX
): 70 °C/W maximum
POLARITY: Cathode end is banded.
Revision Date: 12/1/2009
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