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1N6639US

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小547KB,共6页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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1N6639US概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED GLASS PACKAGE-2

1N6639US规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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Switching Diodes 1N6638 Series
1N6638, 1N6639, 1N6640, 1N6641, 1N6642, 1N6643,
1N6638U & US, 1N6639U & US, 1N6640U & US,
1N6641U & US 1N6642U & US, 1N6643U & US
Features
• Available in JAN, JANS, JANTX, JANTXV
per MIL‐PRF‐19500/578 & /609
• Switching Diodes
• Non‐Cavity Glass Plackage
• Category I Metallurgically Bonded
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature:
Operating Current:
Derating:
Surge Current:
-65°C to +175°C
300mA
Thermal Resistance:
(R
ӨJEC
): U & US 40 °C/W maximum at L = 0”
See Figure 6
(R
ӨJL
): Leaded 150 °C/W maximum at L = .375”
See Figure 7
Thermal Impedance: (Z
ӨJX
): 25 °C/W maximum
See Figure 5
IFSM = 2.5A, half sine wave,
PW = 8.3ms
Electrical Specifications @ TA = + 25 ºC ( Unless Otherwise Specified )
VBR @ IR
TYPES
V(pk)
μA
V(pk)
VFR
V(pk)
1N6638, U & US
1N6639, U & US
1N6640, U & US
1N6641, U & US
1N6642, U & US
1N6643, U & US
150
100
75
75
100
75
100
10
10
10
100
100
125
75
50
50
75
50
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
tfr
ns
20
10
10
10
20
20
pF
2.5
2.5
2.5
3.0
5.0
5.0
pF
2.0
2.8
2.8
ns
4.5
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
nA dc
35
25
50
nA dc
500
100
100
100
500
500
μA dc
50
50
75
μA dc
100
90
90
90
100
100
VWRM
VFR / tfr @
IF = 200 mA
CT1
VR=0 V
CT2
VR=1.5 V
trr
IR1
IR = 10mA VR=VRWM
IF = 10mA TA = 150°C
IR2
VR=20V
TA = 150°C
IR3
VR=20V
IR4
VR = VRWM
VF @ IF
TYPES
V dc
(min)
1N6638, U & US
1N6639, U & US
1N6640, U & US
0.54
0.76
0.82
0.87
V dc
(max)
1.1
0.8
1.2
0.62
0.86
0.92
1.0
1.1
0.8
1.2
0.8
1.2
VF2 @ IF
TA = -55°C
V dc
(max)
1.2
1.3
-
1.1
1.2
1.2
1.4
IF
mA
(pulsed)
200
10
500
1
50
100
200
200
10
100
10
100
1N6641, U & US
1N6642, U & US
1N6643, U & US
Revision Date: 2/5/2013
1
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