NAND512R3M0BZB5E,NAND512R3M0BZB5E pdf中文资料,NAND512R3M0BZB5E引脚图,NAND512R3M0BZB5E电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512R3M0BZB5E: 产品描述Memory Circuit, 64MX8, CMOS, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107; 产品类别存储; 文件大小227KB，共23页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND512R3M0BZB5E概述

Memory Circuit, 64MX8, CMOS, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107

参数名称	属性值
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	107
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
其他特性	LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B107
长度	13 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	107
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-30 °C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.5 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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