NPN宽带硅锗RF晶体管
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | PLASTIC, FLATPAK-4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.03 A |
集电极-发射极最大电压 | 2.8 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | KA BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
标称过渡频率 (fT) | 55000 MHz |
BFU730F | BFU730F,115 | |
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描述 | NPN宽带硅锗RF晶体管 | TRANSISTOR NPN SOT343F-4 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
针数 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
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