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BFU730F

产品描述NPN宽带硅锗RF晶体管
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BFU730F概述

NPN宽带硅锗RF晶体管

BFU730F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明PLASTIC, FLATPAK-4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压2.8 V
配置SINGLE
最高频带KA BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)55000 MHz

BFU730F相似产品对比

BFU730F BFU730F,115
描述 NPN宽带硅锗RF晶体管 TRANSISTOR NPN SOT343F-4
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
针数 4 4
Reach Compliance Code compliant compliant

参考设计

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