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1N914B

产品描述0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小149KB,共2页
制造商Transys Electronics Limited
官网地址http://www.transyselectronics.com
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1N914B概述

0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N914B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Transys Electronics Limited
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.62 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.075 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.008 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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Transys
Electronics
L I M I T E D
HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
IN914, B
IN916
250mW
DO- 35
Glass Axial Package
FEATURES
Intended for General Purpose Application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
V
R
Reverses Voltage ( Continuous)
V
RRM
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Forward Current
T
A
=25ºC
I
F (AV)
I
F (AV)
T
A
=150ºC
I
F
Forward Current (D.C.)
I
FRM
Repetitive Peak Forward Current
Non Repetitive Peak Surge Current
I
FSM
tp=1sec
P
tot
Power Dissipation
T
stg
Storage Temperature
T
amb
Operating ambient Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
V
F
Forward Voltage
I
F
=10
IN914/916
I
F
=100mA,
1N914B
I
F
=5mA,
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Current
V
(BR)R
I
R
I
R
=100µA
V
R
= 20V
V
R
= 75V
V
R
= 20V, T
j
=150ºC
VALUE
75
100
75
10
75
225
500
250
-65 to +200
-65 to +175
UNIT
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
ºC
ºC
MIN
TYP
MAX
1.0
1.0
0.72
UNIT
V
V
V
V
µA
0.62
100
25
5
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
C
d
t
rr
V
R
=0, f=1MHz
I
F
=10mA to I
R
=10mA
R
L
=100
Measured at I
R
=1mA
I
F
=10mA to I
R
=60mA
R
L
=100
Measured at I
R
=1mA
2.5
8
pF
ns
4
ns

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1N914B 1N914 1N916 IN914 IN914B IN916
描述 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 信号二极管 信号二极管 信号二极管
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
端子形式 WIRE WIRE WIRE 线 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
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