0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Transys Electronics Limited |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.62 V |
| JEDEC-95代码 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 2 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 0.075 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.008 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |

| 1N914B | 1N914 | 1N916 | IN914 | IN914B | IN916 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | 硅 | 硅 | 硅 |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | 信号二极管 | 信号二极管 | 信号二极管 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | 线 | 线 | 线 |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
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