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NAND99R4M2AZBA5E

产品描述Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-149
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文件大小725KB,共33页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准  
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NAND99R4M2AZBA5E概述

Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-149

NAND99R4M2AZBA5E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明FBGA, BGA149,12X16,32
针数149
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
JESD-30 代码R-PBGA-B149
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+SDRAM
端子数量149
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA149,12X16,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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NANDxxxxMx
256/512-Mbit or 1-Gbit (x8/x16, 1.8/2.6 V, 528-byte page) NAND
flash and 256/512-Mbit (x16/x32, 1.8 V) LPSDRAM, MCP or PoP
Features
n
FBGA
Packages
– MCP (multichip package)
– PoP (package on package)
Device composition
– 1 die of 256 or 512 Mbits or 1 Gbit (x8/x16)
SLC small page NAND flash memory
– 1 die of 256 or 512 Mbits (x16 or x32)
SDR/DDR LPSDRAM
Supply voltages
– V
DDF
= 1.7 V to 1.95 V or 2.5 V to 3.6 V
– V
DDD
= V
DDQD
= 1.7 V to 1.95 V
Electronic signature
ECOPACK
®
packages
Temperature range: –30 to 85 °C
n
n
TFBGA107 10.5 × 13 × 1.2 mm (ZBB)
TFBGA149 10 × 13.5 × 1.2 mm (ZBA)
TFBGA137 10.5 × 13 × 1.2 mm (ZBC)
LFBGA137 10.5 × 13 × 1.4 mm (ZBC)
FBGA
n
TFBGA152 14 x 14 x 1.1 mm (ZPA)
Data integrity
– 100 000 program/erase cycles
– 10 years data retention
n
n
n
Flash memory
n
Single or double data rate LPSDRAM
n
n
n
n
n
n
NAND interface
– x8/x16 bus width
– Multiplexed address/data
Page size
– x8 device: (512 + 16 spare) bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) words
Block size
– x8 device: (16K + 512 spare) bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) words
Page read/program
– Random access: 12 µs (3 V), 15 µs (1.8 V)
– Sequential access: 30 ns (3 V), 50 ns
(1.8 V)
– Page program time: 200 µs (typ)
Copy back program mode
– Fast page copy without external buffering
Fast block erase
– Block erase time: 2 ms (typ)
– Status register
Interface: ×16 or ×32 bus width
Deep power-down mode
1.8 V LVCMOS interface
Quad internal banks controlled by BA0, BA1
Automatic and controlled precharge
Auto refresh and self refresh
– 8 192 refresh cycles/64 ms
– Programmable partial array self refresh
– Auto temperature compensated self refresh
Wrap sequence: sequential/interleave
Burst termination by Burst Stop command and
Precharge command
Device summary
NAND99W3M0 NAND98R4M2
NAND99W3M1 NAND99R3M1
NANDA9W3M1
NAND99R4M2
NAND98W3M1
NAND98R3M2
n
n
n
n
n
Table 1.
NANDxxxxMx
Rev 13
n
n
NAND88R3M0
NAND98R3M0
NAND98W3M0
NAND99R3M0
NAND99R3M2
NAND98R3M1
October 2008
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