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1N914

产品描述0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小28KB,共1页
制造商GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )
官网地址http://www.vishay.com/
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1N914概述

0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N914规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述DO-35, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0040 us
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流0.2000 A

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1N914
SMALL SIGNAL DIODE
DO-35
FEATURES
Silicon Epitaxial Planar Diode
min. 1.083 (27.5)
For general purpose and switching.
max.
.079 (2.0)
max. .150 (3.8)
Cathode
Mark
min. 1.083 (27.5)
MECHANICAL DATA
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13 g
max.
.020 (0.52)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
VALUE
UNIT
Peak Reverse Voltage
Maximum Average Rectified Current
Maximum Power Dissipation at T
amb
= 25 °C
Maximum Junction Temperature
Maximum Forward Voltage Drop at I
F
= 10 mA
Maximum Reverse Current at V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
Max. Reverse Recovery Time at I
F
= I
R
= 10 mA, V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω,
to I
rr
= 1 mA
Maximum Capacitance at V
R
=0, f=1.0 MH
Z
V
RM
I
o
P
tot
T
j
V
F
I
R
100
75
500
200
1.0
25
5.0
4.0
4.0
V
mA
mW
°C
V
nA
µA
ns
pF
t
rr
C
tot
11/09/98

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