MT8HTF6464HY-40EA3,MT8HTF6464HY-40EA3 pdf中文资料,MT8HTF6464HY-40EA3引脚图,MT8HTF6464HY-40EA3电路-Datasheet-电子工程世界

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MT8HTF6464HY-40EA3: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200; 产品类别存储存储; 文件大小197KB，共14页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT8HTF6464HY-40EA3概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200

MT8HTF6464HY-40EA3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
最长访问时间	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200
JESD-609代码	e3
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
湿度敏感等级	1
端子数量	200
字数	67108864 words
字数代码	64000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
最大待机电流	0.056 A
最大压摆率	1.76 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

MT8HTF6464HY-40EA3相似产品对比

	MT8HTF6464HY-40EA3	QFN26400DEANHWS	MT8HTF6464HY-40EXX	QFN26400DEGGHWS	MT8HTF6464HY-40EC2I	MT8HTF6464HY-53EXX	QFN26401BKANHWS	QFN2840BDKAGKWS	MT8HTF6464HY-667XXI
描述	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200	Fixed Resistor, Thin Film, 0.025W, 2640ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, 0202,	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200	Fixed Resistor, Thin Film, 0.025W, 2640ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, 0202,	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200	Fixed Resistor, Thin Film, 0.025W, 26400ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0202,	Fixed Resistor, Thin Film, 0.025W, 28.4ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0202,	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown
端子数量	200	2	200	2	200	200	2	2	200
最高工作温度	70 °C	125 °C	85 °C	125 °C	95 °C	85 °C	125 °C	125 °C	95 °C
最低工作温度	-	-55 °C	-	-55 °C	-40 °C	-	-55 °C	-55 °C	-40 °C
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	SMT	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	SMT	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	SMT	SMT	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
技术	CMOS	THIN FILM	CMOS	THIN FILM	CMOS	CMOS	THIN FILM	THIN FILM	CMOS
是否Rohs认证	符合	-	符合	-	符合	符合	-	-	符合
厂商名称	Micron Technology	-	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology	-	-	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM200,24	-	DIMM,	-	DIMM,	DIMM,	-	-	DIMM,
Is Samacsys	N	-	N	-	N	N	-	-	N
最长访问时间	0.6 ns	-	0.6 ns	-	0.6 ns	0.5 ns	-	-	0.45 ns
JESD-30 代码	R-PDMA-N200	-	R-XZMA-N200	-	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	-	-	R-XZMA-N200
JESD-609代码	e3	-	e4	-	e4	e4	-	-	e4
内存密度	4294967296 bit	-	4294967296 bit	-	4294967296 bit	4294967296 bit	-	-	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	-	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	-	64	-	64	64	-	-	64
字数	67108864 words	-	67108864 words	-	67108864 words	67108864 words	-	-	67108864 words
字数代码	64000000	-	64000000	-	64000000	64000000	-	-	64000000
组织	64MX64	-	64MX64	-	64MX64	64MX64	-	-	64MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	-	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	-	DIMM	-	DIMM	DIMM	-	-	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	-	260	260	-	-	260
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V
表面贴装	NO	-	NO	-	NO	NO	-	-	NO
温度等级	COMMERCIAL	-	OTHER	-	INDUSTRIAL	OTHER	-	-	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN	-	Gold (Au)	-	Gold (Au)	Gold (Au)	-	-	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	-	-	NO LEAD
端子位置	DUAL	-	ZIG-ZAG	-	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	-	-	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	-	30	30	-	-	30
Base Number Matches	1	-	1	-	1	1	-	-	1
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99

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