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BFG197W/XR

产品描述TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
产品类别晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BFG197W/XR概述

TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFG197W/XR规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7500 MHz
Base Number Matches1
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