MB82DP02183B-70LPBN,MB82DP02183B-70LPBN pdf中文资料,MB82DP02183B-70LPBN引脚图,MB82DP02183B-70LPBN电路-Datasheet-电子工程世界

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MB82DP02183B-70LPBN: 产品描述Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48; 产品类别存储; 文件大小248KB，共33页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MB82DP02183B-70LPBN概述

Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48

MB82DP02183B-70LPBN规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	70 ns
其他特性	ALSO OPERATES WITH 3.1V TO 3.5V SUPPLY
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	9 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-30 °C
组织	2MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.1 V
最小供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm
Base Number Matches	1

MB82DP02183B-70LPBN相似产品对比

	MB82DP02183B-70LPBN	MB82DP02183B-70PBN
描述	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	70 ns
其他特性	ALSO OPERATES WITH 3.1V TO 3.5V SUPPLY	ALSO OPERATES WITH 3.1V TO 3.5V SUPPLY
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0
长度	9 mm	9 mm
内存密度	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	16	16
功能数量	1	1
端子数量	48	48
字数	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-30 °C	-30 °C
组织	2MX16	2MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00001 A	0.00003 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.1 V	3.1 V
最小供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm	6 mm

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