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HI1-390/883

产品描述SPDT, 2 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16
产品类别信号电路   
文件大小229KB,共11页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HI1-390/883概述

SPDT, 2 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16

HI1-390/883规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
模拟集成电路 - 其他类型SPDT
JESD-30 代码R-GDIP-T16
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
信道数量1
功能数量2
端子数量16
标称断态隔离度40 dB
最大通态电阻 (Ron)50 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大供电电流 (Isup)1 mA
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
最长断开时间250 ns
最长接通时间300 ns
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HI1-390/883相似产品对比

HI1-390/883
描述 SPDT, 2 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16
厂商名称 Harris
Reach Compliance Code unknown
Is Samacsys N
模拟集成电路 - 其他类型 SPDT
JESD-30 代码 R-GDIP-T16
标称负供电电压 (Vsup) -15 V
信道数量 1
功能数量 2
端子数量 16
标称断态隔离度 40 dB
最大通态电阻 (Ron) 50 Ω
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
认证状态 Not Qualified
最大供电电流 (Isup) 1 mA
标称供电电压 (Vsup) 15 V
表面贴装 NO
最长断开时间 250 ns
最长接通时间 300 ns
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
Base Number Matches 1
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