MC74VHC08
Quad 2-Input AND Gate
The MC74VHC08 is an advanced high speed CMOS 2−input AND
gate fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high
speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while
maintaining CMOS low power dissipation.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7.0 V, allowing the interface of 5.0 V
systems to 3.0 V systems.
Features
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
14
14
1
SOIC−14
D SUFFIX
CASE 751A
1
VHC08G
AWLYWW
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
High Speed: t
PD
= 4.3 ns (Typ) at V
CC
= 5.0 V
Low Power Dissipation: I
CC
= 2.0
mA
(Max) at T
A
= 25°C
High Noise Immunity: V
NIH
= V
NIL
= 28% V
CC
Power Down Protection Provided on Inputs
Balanced Propagation Delays
Designed for 2.0 V to 5.5 V Operating Range
Low Noise: V
OLP
= 0.8 V (Max)
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
Latchup Performance Exceeds 300 mA
ESD Performance:
Human Body Model > 2000 V;
Machine Model > 200 V
•
Chip Complexity: 24 FETs or 6 Equivalent Gates
•
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
1
3
2
4
6
5
9
8
10
12
11
13
Y4
Y3
Y2
Y = AB
Y1
14
14
1
TSSOP
DT SUFFIX
CASE 948G
14
74VHC08
ALYWG
1
1
VHC
08
ALYW
G
G
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
SOEIAJ−14
M SUFFIX
CASE 965
A
WL, L
Y
WW, W
G or
G
= Assembly Location
= Wafer Lot
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
Figure 1. Logic Diagram
V
CC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
A
L
L
H
H
1
A1
2
B1
3
4
5
6
Y2
7
GND
Y1
A2
B2
(Top View)
FUNCTION TABLE
Inputs
B
L
H
L
H
Output
Y
L
L
L
H
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
Figure 2. Pinout: 14−Lead Packages
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
May, 2011
−
Rev. 8
1
Publication Order Number:
MC74VHC08/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress
ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied.
Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device
reliability.
†Derating
−
SOIC Packages: – 7 mW/°C from 65° to 125°C
TSSOP Package:
−
6.1 mW/°C from 65° to 125°C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CC
V
out
T
stg
I
CC
I
OK
I
out
V
in
P
D
I
IK
Storage Temperature
Power Dissipation in Still Air,
DC Supply Current, V
CC
and GND Pins
DC Output Current, per Pin
Output Diode Current
Input Diode Current
DC Output Voltage
DC Input Voltage
DC Supply Voltage
Parameter
SOIC Packages
†
TSSOP Package
†
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Symbol
V
OH
V
OL
V
IH
I
CC
V
IL
I
in
V
CC
V
out
t
r
, t
f
V
in
T
A
Maximum Quiescent
Supply Current
Maximum Input
Leakage Current
Maximum Low−Level
Output Voltage
Minimum High−Level
Output Voltage
Maximum Low−Level
Input Voltage
Minimum High−Level
Input Voltage
Input Rise and Fall Time
Operating Temperature
DC Output Voltage
DC Input Voltage
DC Supply Voltage
Parameter
V
in
= V
CC
or GND
V
in
= 5.5 V or GND
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 4.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 50
mA
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−4.0
mA
I
OH
=
−8.0
mA
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−50
mA
Test Conditions
Parameter
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
http://onsemi.com
2.0
3.0 to 5.5
2.0
3.0 to 5.5
0 to 5.5
V
CC
V
5.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
Value
500
450
±50
±25
±20
−20
1.9
2.9
4.4
MC74VHC08
–0.5 to V
CC
+0.5
2
–65 to +150
–0.5 to +7.0
–0.5 to +7.0
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
Min
T
A
= 25°C
Typ
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
Unit
mW
mA
mA
mA
mA
°C
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
Min
−55
2.0
±0.1
0
0
0
0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
Max
2.0
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, V
in
and
V
out
should be constrained to the
range GND
v
(V
in
or V
out
)
v
V
CC
.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V
CC
).
Unused outputs must be left open.
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
−55°C
to 125°C
2.48
3.80
Min
1.9
2.9
4.4
+125
Max
V
CC
100
20
5.5
5.5
0.50
V
CC
x 0.3
20.0
0.44
0.44
Max
±1.0
0.1
0.1
0.1
ns/V
Unit
°C
V
V
V
Unit
mA
mA
V
V
V
V
MC74VHC08
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Input t
r
= t
f
= 3.0 ns)
Symbol
t
PLH
,
t
PHL
Parameter
Test Conditions
T
A
= 25°C
Typ
6.2
8.7
4.3
5.8
4
T
A
=
−55°C
to 125°C
Min
1.0
1.0
1.0
1.0
Max
10.5
14.0
7.0
9.0
10
Min
Max
Unit
ns
Maximum Propagation
Delay,
A or B to Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
8.8
12.3
5.9
7.9
10
C
in
Maximum Input
Capacitance
pF
Typical @ 25°C, V
CC
= 5.0 V
18
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Note 1)
pF
1. C
PD
is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: I
CC(OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 (per gate). C
PD
is used to determine the
no−load dynamic power consumption; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
NOISE CHARACTERISTICS
(Input t
r
= t
f
= 3.0 ns, C
L
= 50 pF, V
CC
= 5.0 V)
T
A
= 25°C
Symbol
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
Quiet Output Maximum Dynamic V
OL
Quiet Output Minimum Dynamic V
OL
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
Characteristic
Typ
0.3
−0.3
Max
0.8
−0.8
3.5
1.5
Unit
V
V
V
V
V
CC
A or B
50%
GND
t
PLH
t
PHL
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
TEST
POINT
C
L
*
Y
50% V
CC
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 3. Switching Waveforms
Figure 4. Test Circuit
INPUT
Figure 5. Input Equivalent Circuit
http://onsemi.com
3