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FDS3572_NL

产品描述8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8
产品类别晶体管   
文件大小1MB,共12页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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FDS3572_NL概述

8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8

FDS3572_NL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码SOT
包装说明LEAD FREE, SO-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)515 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (ID)8.9 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FDS3572_NL相似产品对比

FDS3572_NL FDS3572
描述 8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8 8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 LEAD FREE, SO-8 SO-8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
雪崩能效等级(Eas) 515 mJ 515 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V
最大漏极电流 (ID) 8.9 A 8.9 A
最大漏源导通电阻 0.016 Ω 0.016 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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