8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | LEAD FREE, SO-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 515 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 80 V |
最大漏极电流 (ID) | 8.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
FDS3572_NL | FDS3572 | |
---|---|---|
描述 | 8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8 | 8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 |
厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
零件包装代码 | SOT | SOT |
包装说明 | LEAD FREE, SO-8 | SO-8 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
Is Samacsys | N | N |
雪崩能效等级(Eas) | 515 mJ | 515 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 80 V | 80 V |
最大漏极电流 (ID) | 8.9 A | 8.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω | 0.016 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved