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Datasheet> 器件分类 > 存储> IS41LV4100-35J
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IS41LV4100-35J

产品描述EDO DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20
产品类别存储   
文件大小141KB，共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS41LV4100-35J概述

EDO DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20

IS41LV4100-35J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ20/26,.34
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间35 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.145 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.556 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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IS41C4100
IS41LV4100
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM
WITH EDO PAGE MODE
FEATURES
• TTL compatible inputs and outputs
• Refresh Interval: 1024 cycles/16 ms
• Refresh Mode :
RAS-Only, CAS-before-RAS
(CBR), and Hidden
• JEDEC standard pinout
• Single power supply
5V ± 10% (IS41C4100)
3.3V ± 10% (IS41LV4100)
• Industrail Temperature Range -40
o
C to 85
o
C
ISSI
DESCRIPTION
®
PRELIMINARY INFORMATION
SEPTEMBER 2001
The
ISSI
IS41C4100 and IS41LV4100 are 1,048,576 x 4-bit
high-performance CMOS Dynamic Random Access
Memory. Both products offer accelerated cycle access
EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random
accesses within a single row with access cycle time as
short as 10ns per 4-bit word.
These features make the IS41C4100 and IS41LV4100 ideally
suited for high band-width graphics, digital signal processing,
high-performance computing systems, and peripheral applications.
The IS41C4100 and IS41LV4100 are available in a 20-pin,
300-mil SOJ package.
KEY TIMING PARAMETERS
Parameter
Max.
RAS
Access Time (t
RAC
)
Max.
CAS
Access Time (t
CAC
)
Max. Column Address Access Time (t
AA
)
Min. Fast Page Mode Cycle Time (t
PC
)
Min. Read/Write Cycle Time (t
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-60
60
15
30
25
110
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CONFIGURATION
20-Pin SOJ
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
PIN DESCRIPTIONS
A0-A9
I/O0-I/O3
WE
OE
RAS
CAS
V
CC
GND
NC
Address Inputs
Data Inputs/Outputs
Write Enable
Output Enable
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Power
Ground
No Connection
A0
A1
A2
A3
Vcc
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the
best possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2001, Integrated Silicon Solution, Inc.
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
09/10/01
Rev. 00A
1

IS41LV4100-35J相似产品对比

IS41LV4100-35J IS41C4100-60JI IS41LV4100-60JI IS41LV4100-60J IS41C4100-60J IS41C4100-35J
描述 EDO DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 EDO DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 0.300 INCH, SOJ-20 0.300 INCH, SOJ-20
针数 20 20 20 20 20 20
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 35 ns 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns 35 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bi 4194304 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 20
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 5 V 3.3 V 3.3 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.0005 A 0.001 A 0.0005 A 0.0005 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.12 mA 0.075 mA 0.075 mA 0.075 mA 0.075 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 5.5 V 3.6 V 3.6 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 4.5 V 3 V 3 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 5 V 3.3 V 3.3 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Is Samacsys N N N N - -
Base Number Matches 1 1 1 1 - -

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