Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> PJSOT12C

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PJSOT12C: 产品描述500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小103KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSOT12C概述

500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

PJSOT12C规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99

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PJSOT05, 05C SERIES

SINGLE AND DUAL TVS FOR ESD / TRANSIENT PROTECTION

This Single and Dual Transient Protector has been designed to protect

Sensitive Equipment against ESD and prevent Latch-Up events. The single

unidirectional and the dual used as bi-directional devices protect up to two

data lines in a single package giving the advantage of board space savings

where this is a premium.

PRELIMINARY

SPECIFICATION FEATURES

Working Peak Reverse Voltage Range - 5 to 24V

Maximum Leakage Current of 5µA

IEC61000-4-2 Compliance 15kV Air, 8kV Contact Discharge

Industry Standard SOT23 Package

Unidirectional

APPLICATIONS

Data Transmission Line Ports

Computer Monitor Interface Port Protection

Portable Consumer Electronics

Instrumentation Equipment

Bi-directional

SOT23

MAXIMUM RATINGS

Rating

Peak Pulse Power

ESD Voltage (HBM)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Lead Soldering Temperature (max 10 secs)

8/20µs Waveform

Symbol

ppm

ESD

stg

Value

500

>25

-55 to +150

260

Units

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj = 25°C

PJSOT05, PJSOT05C (Bi-directional)

Parameter

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Clamping Voltage (820µs)

Maximum Peak Pulse Current

Off State Capacitance (Unidirectional)

Off State Capacitance (Bi-directional)

Symbol

WRM

= 1mA

= 5V

I pp = 20A

8/20 µs Waveform

0 Vdc Bias f = 1MHz

between pin 1 and 2

Conditions

Min

Typical

Max

Units

550

220

µA

5/10/2005

Page

www.panjit.com

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