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MJ-13090

产品描述Power Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
产品类别晶体管   
文件大小58KB,共1页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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MJ-13090概述

Power Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

MJ-13090规格参数

参数名称属性值
厂商名称New Jersey Semiconductor
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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,
LJnc.
20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212)227-6005
FAX: (973) 376-8960
DTS401 -DTS403
DTS409-DTS411
DTS413
NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
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MJ-13071
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MJ-13061
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MJ-13333
MJ-13334
MJ-13336
MJ-16011
MJ-1S012
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750
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790
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760
400
490
660
700
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800
290
250
360
350
450
400
850
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650
1000
VCH>
(vat)
460
400
450
400
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200
250
390
400
450
500
250
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290
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35
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85
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5.0
75
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75
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55
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30
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20
A
35
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4.0
45
85
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85
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5.0
65
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16
19
16
5.0
50
35
3.6
1.0
15
1.0
.50
CM
PF
260
300
300
390
360
460
450
400
400
600
600
500
500
750
790
500
600
600
600
200
200
350
400
400
400
400
(•HZ)
«T
CASE
STYU
150
160
150
178
176
ITS
176
176.
760
860
780
660
750
650
760
400
460
650
15
15
1.0
15
15
15
15
1.0
15
15
1,8
1.8
1.5
15
1.5
1.5
15
15
15
15
15
15
25
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TO-3
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TM
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50
36
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TO-3
176
176
175
176
176
200
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260
250
260
250
126
129
150
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130
179
175
175
175
75
100
100
100
100
100
75
as
30
.26
.28
50
50
.25
36
36
3S
36
36
.26
.26
.26
.23
30
.29
.06
.16
.06
56
56
59
59
.26
15
5,0
5.0
TO3
TO3
TO3
TO4
TO3
TM
TO3
TO3
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TO3
TO3
•TO-3
TO-3
TO-3
700
780
800
250
250
200
200
260
250
860
860
860
1000
15
15
15
25
25
1.4
1,4
1.4
1.4
_
4.0
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46
46
MJ-15022
MJ-15023
MJ-16024
MJ-15025
MJ-18002
MJ-16004
MJ-16008
MJ-18008A
MJ-1B008
MJ-16010
85
85
85
85
65
8.0
12
22
2.2
ZO
2.0
25
1.5
25
25
1.5
2.0
1.5
15
15
1.1
15
1.6
860
850
1000
690
850
1000
85
85
18
16
15
5.0
.60
35
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1,0
15
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50
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1.5
15
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1.5
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2.0
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.80
50
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2.0
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2.0
TO-3
KX3
TO3
TO-3
T&3
TO3
TO3
TO4
TO-3
MJ-16010A
MJ-18012
MJ-16018
DTS-401
DTS-402
850
1500
850
1600
400
700
400
400
200
300
400
400
700
TO3
DTS-403
DTS409
OT8-410
DTS-411
OTS-413
400*
400'
1000'
goo*
900*
400
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300
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SEATIHO PLANE
.SIS R MAX.
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