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PKR60F

产品描述10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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PKR60F概述

10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

PKR60F规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明O-PUFM-D4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码O-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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PKR-F
FAST RECOVERY MINIBRIDGE
10 AMPERES-TAB TERMINALS
SINGLE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES
HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING
PKR-F SERIES
PRV/leg
Type No.
50V
PKR05F
100V
PKR 10F
200V
PKR 20F
400V
PKR 40F
600V
PKR 60F
800V
PKR 80F
1000V
PKR100F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LEG
(at T
A
=25 C Unless Otherwise Specified)
Average Output Current, Io @ 60
o
C Tc (Fig.1)
10
2.0
5
100
Max.Forward Voltage Drop, V
F
=1.25 V @ I
F
=
Max. DC Reverse Current @ PRV and 25
o
C, I
R
Max. DC Reverse Current @ PRV and 100
o
C, I
R
Max. Reverse Recovery , T
rr
(Fig.4)
Max. Peak Surge Current, I
FSM
(8.3
ms)
Storage Temperature Range, T
STG
-
Thermal Resistance (Total Bridge), R
0
j-c
200
125
-55 to +150
4.5typ.
EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.
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A
Nano Sec.
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o
C
C/ W
nt

PKR60F相似产品对比

PKR60F PKR-F PKR10F PKR20F PKR80F
描述 10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
包装说明 O-PUFM-D4 - O-PUFM-D4 O-PUFM-D4 O-PUFM-D4
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 -
其他特性 UL RECOGNIZED - UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V - 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 O-PUFM-D4 - O-PUFM-D4 O-PUFM-D4 O-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流 125 A - 125 A 125 A 125 A
元件数量 4 - 4 4 4
相数 1 - 1 1 1
端子数量 4 - 4 4 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 10 A - 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V - 100 V 200 V 800 V
最大反向恢复时间 0.2 µs - 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO - NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG - SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER - UPPER UPPER UPPER

 
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