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MOD2017S

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.045ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别晶体管   
文件大小103KB,共2页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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MOD2017S概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.045ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

MOD2017S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SENSITRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-P12
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CDFM-P12
元件数量6
端子数量12
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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