FESB8JT-HE3/81,FESB8JT-HE3/81 pdf中文资料,FESB8JT-HE3/81引脚图,FESB8JT-HE3/81电路-Datasheet-电子工程世界

FESB8JT-HE3/81: 产品描述DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小132KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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FESB8JT-HE3/81概述

DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	D2PAK
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
Base Number Matches	1

	FESB8JT-HE3/81	PTN0805H2083DSTS
描述	DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode	Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 208000ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	CHIP
Reach Compliance Code	unknown	compliant

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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