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APT1001RSVFR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3
产品类别晶体管   
文件大小119KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT1001RSVFR概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

APT1001RSVFR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)1210 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)278 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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