IRFM064CSCS: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,; 产品类别晶体管; 文件大小231KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRFM064CSCS概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

IRFM064CSCS规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	620 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.017 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	380 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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IRFM064CSCS相似产品对比

	IRFM064CSCS	PTN0805E2083DBWI	IRFM064U
描述	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 208000ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
JESD-609代码	e0	e0	e0
端子数量	3	2	3
封装形式	FLANGE MOUNT	SMT	FLANGE MOUNT
表面贴装	NO	YES	NO
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier	Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)
Is Samacsys	N	-	N
其他特性	HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED	ANTI-SULFUR; LASER TRIMMABLE; NON-INDUCTIVE	-
雪崩能效等级（Eas）	620 mJ	-	620 mJ
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	-	60 V
最大漏极电流 (ID)	35 A	-	35 A
最大漏源导通电阻	0.017 Ω	-	0.017 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	-	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	-	R-MSFM-P3
元件数量	1	-	1
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	-	METAL
封装形状	SQUARE	-	RECTANGULAR
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	380 A	-	380 A
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
端子形式	PIN/PEG	-	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	40
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
Base Number Matches	1	-	1
最高工作温度	-	155 °C	150 °C

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