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IRF642

产品描述Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小92KB,共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IRF642概述

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRF642规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SFM
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)16 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1
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