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APTM20DHM20T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 200V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-14
产品类别晶体管   
文件大小301KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTM20DHM20T概述

Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 200V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-14

APTM20DHM20T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-14
针数14
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)89 A
最大漏极电流 (ID)89 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X14
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量14
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)357 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)356 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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