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AGR19125EF

产品描述L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2
产品类别晶体管   
文件大小222KB,共11页
制造商AVAGO
官网地址http://www.avagotech.com/
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AGR19125EF概述

L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2

AGR19125EF规格参数

参数名称属性值
厂商名称AVAGO
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)350 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

AGR19125EF相似产品对比

AGR19125EF AGR19125EU
描述 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
厂商名称 AVAGO AVAGO
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 65 V 65 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFP-F2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 350 W 350 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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