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APTGT75X120RTP3

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
产品类别晶体管   
文件大小270KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTGT75X120RTP3概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

APTGT75X120RTP3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
针数35
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)105 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X35
JESD-609代码e0
元件数量5
端子数量35
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)610 ns
标称接通时间 (ton)330 ns
Base Number Matches1

APTGT75X120RTP3相似产品对比

APTGT75X120RTP3 APTGT75X120BTP3
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
零件包装代码 MODULE MODULE
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 MODULE-35
针数 35 35
Reach Compliance Code compliant unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 105 A 60 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 COMPLEX COMPLEX
JESD-30 代码 R-XUFM-X35 R-XUFM-X35
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 5 5
端子数量 35 35
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 610 ns 610 ns
标称接通时间 (ton) 330 ns 330 ns
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