Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 |
针数 | 35 |
Reach Compliance Code | compliant |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 105 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | COMPLEX |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X35 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 5 |
端子数量 | 35 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 610 ns |
标称接通时间 (ton) | 330 ns |
Base Number Matches | 1 |
APTGT75X120RTP3 | APTGT75X120BTP3 | |
---|---|---|
描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
零件包装代码 | MODULE | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 | MODULE-35 |
针数 | 35 | 35 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 105 A | 60 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
配置 | COMPLEX | COMPLEX |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X35 | R-XUFM-X35 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 5 | 5 |
端子数量 | 35 | 35 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 610 ns | 610 ns |
标称接通时间 (ton) | 330 ns | 330 ns |
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