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IRFC360

产品描述Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别晶体管   
文件大小31KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFC360概述

Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFC360规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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