Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1363 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| BCR192E6327 | BCR192WE6327 | |
|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | N |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 | 70 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W | 0.25 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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