电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BC850B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
产品类别晶体管   
文件大小102KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
下载文档 详细参数 全文预览

BC850B在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BC850B - - 点击查看 点击购买

BC850B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN

BC850B规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.31 W
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 40  56  726  1526  1580 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved